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    薄膜半导体材料制备系统

    • 磁控溅射仪
    磁控溅射仪

    磁控溅射仪


    磁控溅射仪

    衬底尺寸:4'为主,6'兼容。

    溅射金属膜厚均匀性要求:≤±5%

    靶位:4个。

    极限压力:<6.6×10-6e Pa

    靶材尺寸:3英寸。

    可溅射磁性材料。

    靶与样品距离可调,且可以在30度角度内摆头。

    配置load-lock,可放置56英寸样品,在高真空状态下,由电动马达分别传送每片样品,顺序溅射每片样品,逐一完成5片溅射镀膜。

    样品台可加热至750度,可旋转。

    全自动真空度控制模块。

    气路:ArO2N2

    射频电源:2个,每个600W

    直流电源:2个,每个1000W


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